333体育官网

中文 EN
首页
关于333体育官网
新品宣布
N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~
N100V MOSFET：给PD电源安排“低耗抗造”超顶内核~ 返回
 新产品宣告

产品先容 333体育官网科技最新推出了一系列用于PD电源的N100V MOSFET产品 ，产品接纳特殊优化的SGT手艺 ，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg ，显着降低导通和开关消耗 ，同时提升了MOSFET抗雪崩攻击能力。
产品特点 1.接纳最新优化的SGT工艺, 产品内阻低 ，开关特征优异；
2.接纳PDFN5*6-8L 封装 ，适用于PD电源同步整流应用；
3.针对电源应用的种种事情状态, 优化MOS产品EAS能力 ，提高产品的可靠性。
规格书

YJG4D6G10H YJG5D2G10H YJG6D3G10H YJG7D4G10H YJG8D0G10H

相关新品

IGBT 50A 1200V单管——工控应用

SOT-227 FJ封装车载�？�

半控整流+制动新突破 ，IGBT�？槲欧淦荡蟮缌鞲衬�

用于散热电扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET

用于光伏逆变器、储能逆变器的微沟槽IGBT

JC系列

小信号DFN1006-3L新封装

SOD-123HE TVS二极管

用于工业的TOLL N100V MOSFETs

GBU封装扩充35A-50A大电流系列产品

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验 ，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒 ，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图