333体育官网

中文 EN
首页
关于333体育官网
新品宣布
650V Super Junction N-Channel MOSFET
650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回
 新产品宣告

产品先容 1.接纳333体育官网科技特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品，可以知足低导通消耗、低开 关消耗、EMI兼容性以及差别电路拓扑结构应用要求，产品具有优异的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)性能，降低导通消耗和开关消耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳 定性及性能。
2.开关速率与EMI平衡、更低的Trr特点，适用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领 域，亦可知足一些半桥或种种桥式电路拓扑结构应用要求。
产品特点 1.接纳333体育官网科技特殊多层外延工艺制程设计，具有更高的工艺稳固性和可靠性，开关速率与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通消耗和开关消耗低的特点；
3.接纳TO-252/ITO-220AB封装，具有更好的热值特征。
规格书
相关新品

整流桥设计优化新封装GBU-L

P60V MOSFET ：低阻降损+散热控温,为汽车电子大功率开”绿灯“

Econo 3系列 IGBT�？�，变频伺服领域“平替黑马”

TO-220AB封装功率三极管，解锁大功率应用新可能！

用于散热电扇控制的N+P Dual 30V Trench MOSFET

高结温超快恢复二极管

IGBT 高性能微沟槽单管产品——光储充新能源应用

用于工业的TOLL N100V MOSFETs

便携式储能电源专用插件类快恢复桥

恒VC ESD产品

Privacy Cookies 本网站使用浏览器纪录 Cookies 来优化您的使用体验，相关信息请会见我们的执法声明与隐私声明。若是您选择继续浏览这个提醒，便体现您已接受我们网站的使用条款。

网站地图